英特尔：14A 缺陷密度曲线是 22nm 以来最佳表现，2027 下半年风险试产

新闻摘要

英特尔首席财务官 David Zinsner 在德意志银行技术大会上表示，即将推出的 Intel 14A 制程工艺拥有自 22nm 节点以来最佳的缺陷密度曲线。14A 将采用第二代 RibbonFET 晶体管、PowerDirect 背部供电和 ASML High-NA EUV 光刻设备，并计划于 2027 年下半年风险试产，2028 年量产。此外，英特尔正推进 EMIB-T 先进封装技术，博通、Meta 和谷歌等客户正在评估或已采用该技术。